3.游离二氧化硅：通常它存在于晶体表面，大都由于电阻炉冷却过程中碳化硅的氧化而形成的。越是高温急冷，碳化硅晶体表面的二氧化硅也就越多。
4.铁、铝、钙、镁等元素由于炉内的高温以及还原性气氛、含在结晶块中的这些杂志大都是呈现合金状态或碳化物状态。这些杂质都不进入碳化硅晶体。主要堆积在晶粒的界面上和气孔中。
由此可见碳化硅的化学成分也需要大家关注，尤其是在做高科技研究方面，碳化硅的一些指标含量需要到得到的化验才能保证生产、实验的进行。
碳化硅的共价特性和高强度，同时可以决定碳化硅具有一定能量和机械强度。在较低的温度下，在碳化硅生成和退火过程中可以观察到变体的转化，碳化硅，但是在这种情况下，退火的时间应当长一些。碳化硅的共价特性和高强度，同时可以决定碳化硅具有一定能量和机械强度。在较低的温度下，在碳化硅生成和退火过程中可以观察到变体的转化，但是在这种情况下，退火的时间应当长一些。
碳化硅的强度是在静负荷下用压磨粒的方法检验的，取5克碳化硅样品放到圆柱盘表面，上方加放另一个圆柱盘，加压至30KG/cm2，筛除压碎的碳化硅粒，取未压碎部分的重量与原碳化硅样品总重量做比值，比值越大，碳化硅价格，碳化硅的强度越大，反之，则说明碳化硅的强度小。
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